PMGI & LOR Lift-off光刻胶LOR 3A LOR 5A

PMGI&LOR Lift-off光刻胶

PMGI&LOR光刻胶可在数据存储、无线IC和MEMS等各种应用中实现高产量，金属剥离工艺。 在双层光刻胶层使用时，PMGI和LOR将工艺范围扩展到单层光刻胶层所能达到的范围之外，包括高分辨率金属化(< 0.25µm),以及很厚(> 4µm)金属化。这些独特的性能适用于多种材料，可满足客户的各种需要。

    LOR & PMGI Lift-off 胶 - 底层胶，非光敏 - 单层厚度50nm-6μm。

    LOR & PMGI Lift-off 胶型号：

    LOR1A/ LOR2A/ LOR3A/ LOR5A/ LOR7A/ LOR10A/ LOR20B/LOR5B/ LOR10B/ LOR20B；PMGI-SF3/PMGI-SF6/PMGI-SF9/PMGI-SF11。

材料用途：金属电梯加工，桥制造，释放层

PMGI&LOR Lift-off光刻胶材料属性：

覆盖在成像抗蚀剂不会混杂

在TMAH双叠层一步发展，或KOH开发

高热稳定性：Tg ~190 C

快速清除和常规抗剥离干净

0.25µm微米双层抗蚀成像

产量高，可用于很厚（＞3µm）金属剥离处理

LOR & PMGI Lift-off 胶用途

        LOR & PMGI Lift-off 胶的主要树脂材料是聚二甲基戊二酰亚胺(PMGI)聚合物，作为牺牲层，非常适用于各种lift-off工艺。LOR & PMGI与传统的正负胶搭配使用，不同的底胶厚度和底切率，满足了广泛的应用要求。例如金属剥离，气桥制造。

LOR & PMGI Lift-off 胶特性

● 可用于<0.25um Lift-off工艺

● 对上层胶无影响

● 与Si,NiFe, GaAs, InP以及一些III–V ，II–VI 材料的粘附性好

● 显影过程简单，无需多余的有机试剂处理

● 与g/h/i-Line，DUV,193nm，E-beam光刻胶兼容

● 易去除

● 良好的耐热稳定性，Tg＞190℃